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  • PSMN1R5-25YL,115

PSMN1R5-25YL,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 100A LFPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.15V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs76nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4830pF @ 12V功率 - 最大109W
安装类型表面贴装封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装LFPAK,Power-SO8包装带卷 (TR)

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