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  • PSMN1R6-30PL,127

PSMN1R6-30PL,127

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.7 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.15V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs212nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds12493pF @ 12V功率 - 最大306W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB包装管件

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