描述 | PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS | FET 类型 | N 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.1 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 184 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 11353 pF @ 27 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 333W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 |
封装/外壳 | SOT-1023,4-LFPAK |