描述 | MOSFET N-CH 30V TO220AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.7 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.15V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 66nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3954pF @ 12V |
功率 - 最大 | 170W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 | 其它名称 | 568-5235 |
【NXP Semiconductors】PSMN2R8-25MLC,115,MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
【NXP Semiconductors】PSMN2R8-40BS,118,MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN2R8-80BS,118,MOSF N CH 80V 120A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN2R9-25YLC,115,MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN2R9-30MLC,115,MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
【NXP Semiconductors】PSMN3R0-30MLC,115,MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33