描述 | MOSFET N-CH 30V QFN3333 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3.6 毫欧 @ 10A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.15V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2061pF @ 15V |
功率 - 最大 | 71W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-QFN(3.3x3.3) |
包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 568-5591-6 |
【NXP Semiconductors】PSMN3R5-30YL,115,MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN3R5-80ES,127,MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN3R5-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 120A TO220
【NXP Semiconductors】PSMN3R7-25YLC,115,MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN3R7-30YLC,115,MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK