描述 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220 | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.3 毫欧 @ 25A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 111nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8161pF @ 40V |
功率 - 最大 | 306W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 | 其它名称 | 568-6713 |
【NXP Semiconductors】PSMN4R4-30MLC,115,MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
【NXP Semiconductors】PSMN4R4-80BS,118,MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R4-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 100A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN4R5-30YLC,115,MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R5-40BS,118,MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R5-40PS,127,MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN4R6-60BS,118,MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK