| 描述 | PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 120 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8290 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 294W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SOT-1023，4-LFPAK |
【NXP Semiconductors】PSMN5R0-100ES,127,MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN5R0-100PS,127,MOSFET N-CH 100V 120A TO220
【NXP Semiconductors】PSMN5R0-100XS,127,MOSFET N-CH 100V TO-220F
【NXP Semiconductors】PSMN5R0-30YL,115,MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN5R0-80BS,118,MOSFET N CH 80V 100A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN5R0-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 100A TO-220AB3