描述 | MOSFET N-CH 30V 62A SOT669 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 62A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 8.3 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.15V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1005pF @ 15V |
功率 - 最大 | 56W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK | 供应商设备封装 | LFPAK,Power-SO8 |
包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 568-6904-6 |
【NXP Semiconductors】PSMN8R0-30YLC,115,MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN8R0-40BS,118,MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN8R0-40PS,127,MOSFET N-CH 40V 77A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN8R2-80YS,115,MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN8R3-40YS,115,MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK