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  • PSMN8R5-100ESQ

PSMN8R5-100ESQ

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 100A I2PAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tj)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.5 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)111 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5512 pF @ 50 VFET 功能-
功率耗散(最大值)263W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装I2PAK
封装/外壳TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA

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