| 描述 | PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK | FET 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 技术 | - | 漏源电压（Vdss） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tj） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | - | 供应商器件封装 | - |
| 封装/外壳 | - |
【NXP Semiconductors】PSMN8R7-80BS,118,MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN9R0-25MLC,115,MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
【NXP Semiconductors】PSMN9R0-25YLC,115,MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN9R0-30LL,115,MOSFET N-CH 30V QFN3333
【NXP Semiconductors】PSMN9R0-30YL,115,MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN9R1-30YL,115,MOSFET N-CH 30V 57A SOT669