| 描述 | PSMN9R3-60HS/SOT1205/LFPAK56D | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.3 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 34.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2348pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 68W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
【NXP Semiconductors】PSMN9R5-100BS,118,MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN9R5-100PS,127,MOSFET N-CH 100V SOT78
【NXP Semiconductors】PSMN9R5-100XS,127,MOSFET N CH 100V 44.2A TO220F
【NXP Semiconductors】PSMN9R5-30YLC, 115,MOSFET 功率 N-chnl30V9.8m logic lvl MOSFET in LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN9R5-30YLC,115,MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN9R8-30MLC,115,MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33
