描述 | PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 7V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 0.98 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 2mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 120 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7452 pF @ 12 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 224W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |