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PTF080101SV1

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 汲极/源极击穿电压:65 V
  • 闸/源击穿电压:- 0.5 V, + 12 V
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.83 Ohms
产品属性
描述MOSFET Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W, 860-960 MHz配置Single
最大工作温度+ 200 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体32259封装Reel
最小工作温度- 40 C功率耗散58 W

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