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PTFA091201GLV1R250

  • 制造商:-
  • 产品种类:射频MOSFET电源晶体管
  • 配置:Single
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 频率:920 MHz to 960 MHz
产品属性
描述射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz增益18.5 dB
输出功率120 W汲极/源极击穿电压65 V
漏极连续电流750 mA闸/源击穿电压12 V
最大工作温度+ 150 C封装 / 箱体PG-63248-2
封装Reel安装风格SMD/SMT
功率耗散625 W

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