描述 | TRANS PREBIASED PNP SOT666 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 47k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 150mV @ 500?A,10mA | 电流 - 集电极截止(最大) | 1?A |
频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | 6-TSSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 934058908115PUMB14 T/RPUMB14 T/R-ND |
【NXP Semiconductors】PUMB15 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PUMB15,115,TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
【NXP Semiconductors】PUMB16 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PUMB16,115,TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
【NXP Semiconductors】PUMB17 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PUMB17,115,TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363