描述 | TRANS PREBIASED PNP SOT666 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 20mA |
---|---|---|---|
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 100k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 100k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA,5V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 150mV @ 250?A,5mA | 电流 - 集电极截止(最大) | 1?A |
频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | 6-TSSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | 934058906115PUMB24 T/RPUMB24 T/R-ND |
【NXP Semiconductors】PUMB3 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PUMB3,115,TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
【NXP Semiconductors】PUMB30 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PUMB30,115,TRANS PNP/PNP W/RES 50V SOT-363