您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > pumd12,115
  • PUMD12,115

PUMD12,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,5VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500?A,10mA
电流 - 集电极截止(最大)1?A频率 - 转换-
功率 - 最大300mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装6-TSSOP
包装带卷 (TR)

pumd12,115的相关型号: