描述 | PUMD6H-QX | 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | - |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 500μA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 频率 - 跃迁 | 230MHz,180MHz |
功率 - 最大值 | 240mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
【NXP Semiconductors】PUMD9 /T2,Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET DOUBLE TAPE-11 REV
【NXP Semiconductors】PUMD9 T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7
【NXP Semiconductors】PUMD9,115,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363
【NXP Semiconductors】PUMD9,135,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363
【NXP Semiconductors】PUMD9,165,TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT363