| 描述 | TRANSISTOR GP NPN 80V SOT-223 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 500mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | PZTA06-NDPZTA06TR |
【Fairchild Semiconductor】PZTA06_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN General Purpose
【Fairchild Semiconductor】PZTA14,TRANS DARL NPN 30V 1.2A SOT223
【NXP Semiconductors】PZTA14 /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS DARLINGTON TAPE-13
【Fairchild Semiconductor】PZTA14_Q,Transistors Darlington NPN Transistor Darlington
