| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 二极管（隔离式） | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 90pF @ 10V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | TSMT6 | 包装 | 带卷 (TR) |
