| 描述 | QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta），2A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 112mOhm @ 3A，10V，210mOhm @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA，3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 4nC @ 5V，7.2nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 270pF @ 10V，750pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
