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QSB363_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
最大功率耗散：75 mW
最大暗电流：100 nA
封装 / 箱体：T-3/4
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Phototransistors T-3/4 PHOTO SENSOR	下降时间	15 us
最大工作温度	+ 85 C	最小工作温度	- 25 C
封装	Bulk	上升时间	15 us
类型	IR Chip	波长	940 nm

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