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QSD122_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
最大功率耗散：100 mW
最大暗电流：100 nA
封装 / 箱体：T-1 3/4
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Phototransistors 1mA PHOTO TRANS	下降时间	7 us
最大工作温度	+ 100 C	最小工作温度	- 40 C
封装	Bulk	上升时间	7 us
类型	IR Chip

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