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QSE773_Q

描述光电二极管 PHOTO DIODE TRANS.峰值波长940 nm
上升时间50 ns下降时间50 ns
半强度角度60 deg封装 / 箱体Side Looker
暗电流30 nA最大工作温度+ 85 C
最小工作温度- 40 C安装风格Through Hole
封装Bulk光电流30 uA
功率耗散150 mW

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