描述 | 整流器 HV Fst Rec Rct 200mA,5000V | 正向连续电流 | 0.2 A |
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最大浪涌电流 | 30 A | 反向电流 IR | 5 uA |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | DO-15 |
最大工作温度 | + 150 C | 最小工作温度 | - 55 C |
推广设备,抢占更多的市场份额,设备厂商也都重视起各种方式的产品推广,光博会出现为数众多的设备厂商,也就不足为奇。 长裕科技展出的s800高速泛用性外观检测系统: 中为光电: 杭州创惠仪器: 深圳市中原精工电子设备公司展出的led切片机: 深圳宝智半导体设备有限公司: 天豪科技: 杭州虹谱光电: 维明企业: 得天自动化设备: led检测设备商远方(everfine),也在现场展出了go—r5000全空间快速分布光度计和卧式快速分布光度计等检测设备: 香港先进自动器材有限公司: 台湾设备展商 台湾部分设备展商透露,在设备产品的技术研发方面,日本可说是走在前沿,不少台湾的设备技术,也由日本引进。 耀裕24k的ys—高速测试分类机: 耀裕led高速编带机: 台工电子科技: 台达展出自动化设备: 英特美: 安品: 除了台资、陆资参展商外,在大陆占有重量市场的日商,也纷纷展出了各自的主打产品和最 ...
这种趋势下,64位r4000处理器推向了市场。 在这种背景下,qed公司开发了采用mips架构的处理器--r4600。这种处理器专门面对嵌入式市场,并得到多家网络设备公司的大量应用。r4600继承了risc的传统,扩展了缓存容量以增强cpi性能,并采用指令集相关性(set associativity)来提高缓存效率。r4600采用了微软为嵌入式系统应用开发的windows ce操作系统,可应用于机顶盒等产品中。 继r4600和r4300处理器后,qed开发出了r5000处理器。r5000处理器在r4600上增加了工作站级浮点运算,并将缓存大小增加到原来的两倍。无论是网络或打印市场,这款处理器都是第二代产品的设计基础。 在处理器电路的设计中,采用先进的工艺可以集成更多的晶体管。正如前面的分析,当缓存增大到一定程度性能便难以明显提高,显然停滞时间的长短影响这一临界点的位置。由于在处理器工作时,停滞时间长短会保持为一个常量,因此,如果dram的速度增长能与处理器速度增长保持一致则并不成问题。但是由于各种原因,dram的速率与处理器的速率并不一致 ...
microsoft 开发用于各种嵌入应用的windowsce,r4600还可以用于当代 pvr 的先驱,webtv 和 echostar的机顶盒中。 同时,qed 开发了 r4600,而另一个 mips 架构的授权方——nec 则正在开发其自己的 64 位 mips 处理器—— r4300。nec 的处理器为 nintendo-64 及惠普的高性能激光打印机系列提供了强劲的动力。 紧随 r4600/r4300 系列之后,qed 运用 sgi 提供的基金,为 nec 和 idt 开发了r5000。r5000 不仅向 r4600 增加了工作站类型的浮点,而且再次将高速缓存大小加倍。该款处理器为网络与打印市场中的第二代设计奠定了坚实的基础。 0.25 微米新型处理工艺刚刚兴起,此时消耗的晶体管更多。回顾上述分析,随着高速缓存大小的提高 cpi 改进显示出衰减,您可以看到停止长度 (stall length) 影响着衰减发生的位置。如果 dram 速度的增长速率与处理器速度的增长速率相同,就不会产生任何影响,因为在测定处理器周期时,停止的长度将保持恒定。由于各种原因,此处不再赘述,dr ...