| 描述 | MOSFET N-CH 500V 21A LPTS | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 220 毫欧 @ 10.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 64 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2300 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LPTS |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
【Harwin】R50-3000802,电路板硬件 - PCB M5 x 8mm HEX SPACER 10mm ML/FML 8mm A/F
【Harwin】R50-3000902,电路板硬件 - PCB M5 x 9mm HEX SPACER 10mm ML/FML 8mm A/F
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