| 描述 | MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 182 毫欧 @ 12.5A，15V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 7V @ 4.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 57 nC @ 15 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1900 pF @ 100 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 85W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FM |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
【Harwin】R60-3001002,电路板硬件 - PCB M6 x 10mm HEX SPACER 10mm ML/FML 10mm A/F
【Harwin】R60-3001102,电路板硬件 - PCB M6 x 11mm HEX SPACER 10mm ML/FML 10mm A/F
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