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RA257GP-BP

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系列：-
包装：散装
产品状态：停产

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产品属性

描述	DIODE GEN PURP 1KV 25A RA	技术	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	1000 V	电流 - 平均整流 (Io)	25A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	1.1 V @ 25 A	速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	3 μs	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	5 μA @ 1000 V
不同?Vr、F 时电容	300pF @ 4V，1MHz	安装类型	表面贴装型
封装/外壳	RA	供应商器件封装	RA
工作温度 - 结	-50°C ~ 150°C

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