| 描述 | TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A, | 技术 | 肖特基 |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 20A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 860 mV @ 20 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 80 μA @ 100 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | - | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 供应商器件封装 | TO-252 |
| 工作温度 - 结 | 150°C |
