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  • RDD022N50TL

RDD022N50TL

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:2,500 : ¥4.73299卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
产品属性
描述MOSFET N-CH 500V 2A CPT3FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.4 欧姆 @ 1A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6.7 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)168 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)20W(Tc)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装CPT3
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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