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  • RDN100N20

RDN100N20

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.54
  • 10$1.364
  • 100$1.078
  • 250$0.946
  • 500$0.836
描述MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FNFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds543pF @ 10V功率 - 最大35W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包
供应商设备封装TO-220FN包装散装

“RDN100N20”电路图

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