描述 | MOSFET SOIC-8 | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.13 Ohms |
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配置 | Dual Dual Drain | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOP-8 |
下降时间 | 45 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2 W | 上升时间 | 65 ns |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
.85db,s21=?0.19db,s31=?22.70db,s41=?15.08db。所以方向性系数d=5.62db。 最终取微带耦合线的物理尺寸为:微带线宽度w=56mil,间距s=20mil,耦合线长l=650mil。 电平平移与驱动电路的设计 功率检测电路输出的是一个接近线性的电压信号而不是逻辑高低电平信号,不适合直接控制rf开关。因此需要一个电平平移与驱动电路来将单一的初始控制信号变成稳定的驱动能力强的一对反相的控制信号。所以电路采用一个三极管9011和一个双p沟道场效应管rf1k49093构成。电平平移与驱动 电路如图6所示。 双向功率放大器的测试 由于所设计的双向功率放大器是专门针对扩频通信系统的,所以输入输出信号都是扩频信号,而且工作频率较高,如果要观察信号波形的话对测试仪器要求很高,所以不适合采用时域测试方法。这里主要介绍采用频域测试方法来对双向功率放大器进行测试。 端口s参数的测试 采用安利公司的anritsu 37269c矢 量网络分析仪测量,在2.4ghz~ 2.5ghz频段s参数数据见表1。 回波损耗(rl ...
5db,s21=?0.19db,s31=?22.70db,s41=?15.08db。所以方向性系数d=5.62db。 最终取微带耦合线的物理尺寸为:微带线宽度w=56mil,间距s=20mil,耦合线长l=650mil。 电平平移与驱动电路的设计 功率检测电路输出的是一个接近线性的电压信号而不是逻辑高低电平信号,不适合直接控制rf开关。因此需要一个电平平移与驱动电路来将单一的初始控制信号变成稳定的驱动能力强的一对反相的控制信号。所以电路采用一个三极管9011和一个双p沟道场效应管rf1k49093构成。双向功率放大器的测试 由于所设计的双向功率放大器是专门针对扩频通信系统的,所以输入输出信号都是扩频信号,而且工作频率较高,如果要观察信号波形的话对测试仪器要求很高,所以不适合采用时域测试方法。这里主要介绍采用频域测试方法来对双向功率放大器进行测试。 端口s参数的测试 回波损耗(rl)=?10log 10 [(反射功率)/(入射功率)](db) s11即为功率放大器输入端的回波损耗,?s22即为功率放大器输出端的回波损耗。 发射功率放大增益测试 测试信源采用自 ...
rf1k49093 的替代那位前辈知道rf1k49093(intersil 公司产品power mosfet,)的代换产品,管脚排布一样。请联系tian620109@hotmail.com.谢谢 ...