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RF1S640SM9A

描述MOSFET USE 512-FQP19N20C电阻汲极/源极 RDS(导通)0.14 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263AB
封装Reel下降时间35 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)10 S最小工作温度- 55 C
功率耗散125 W上升时间50 ns
工厂包装数量800典型关闭延迟时间46 ns

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