| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 63 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V | 功率 - 最大 | 49W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | RFD12N06RLESM9A-NDRFD12N06RLESM9ATR |
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05_Q,MOSFET TO-251AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05L,MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05L_Q,MOSFET TO-251AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05LSM,MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
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【Fairchild Semiconductor】RFD14N05LSM9A,MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
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