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  • RFD16N05LSM

RFD16N05LSM

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AAFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C47 毫欧 @ 16A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250mA闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大60W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装TO-252AA包装管件

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