| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 107 毫欧 @ 8A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.3nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 38W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252AA |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM_Q,MOSFET TO-252AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM9A,MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】RFD3055SM_Q,MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm
【Fairchild Semiconductor】RFD3055SM9A,MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
【Fairchild Semiconductor】RFD4N06LSM9A,MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
