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  • RHP020N06T100

RHP020N06T100

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$0.283
  • 5000$0.239
  • 10000$0.23
  • 25000$0.221
描述MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 10V功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-243AA
供应商设备封装MPT3包装带卷 (TR)
其它名称RHP020N06T100TR

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