| 描述 | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） | FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 43nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2600pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 54W | 工作温度 | 175°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 20-HSOP |
