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  • RJP020N06T100

RJP020N06T100

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$0.363
  • 2000$0.329
  • 5000$0.306
  • 10000$0.295
  • 25000$0.284
描述MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4V
输入电容 (Ciss) @ Vds160pF @ 10V功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-243AA
供应商设备封装MPT3包装带卷 (TR)
其它名称RJP020N06T100TR

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