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RMPA2265

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IC MOD RF POWER AMP 8PIN 3X3LCCP1dB-
增益28dB噪音数据4dB
RF 型W-CDMA电源电压3 V ~ 4.2 V
电流 - 电源45mA测试频率-
封装/外壳8-LCC包装带卷 (TR)
其它名称RMPA2265TR

“RMPA2265”技术资料

  • Fairchild 推出3G射频功率放大器

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出poweredge™双频带(wcdma/ umts) rf功率放大器模块 (pam),可将效率 (pae) 提高至42%,大大超越同类型产品。飞兆半导体的rmpa2265是第一个3x3 mm lcc 封装,可于1850-1910 mhz 和1920-1980 mhz两个频带工作的3g 射频放大器模块,其面积较4x4 mm封装缩小约44%。rmpa2265可满足当今3g移动电话、pda和无线pc数据卡等产品设计对射频功放 高效率、灵活的频率特性和更小尺寸的要求。rmpa2265还合乎新兴的高速下行链路分组接入 (hsdpa) 标准。 rmpa2265的卓越线性和高功率增加效率是通过飞兆半导体专有的ingap异质结双极晶体管 (hbt) 技术来实现。该器件带有可选的高/低功率模式,用于进一步优化电流消耗。这种两阶功率放大器可在内部将输入和输出阻抗匹配至50欧姆,从而减少外部器件数目,简化设计要求。 rmpa2265是无铅器件,能达到甚至超越ipc/jedec的j-std-020b标准要求,并符合现已生效 ...

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