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  • RMW200N03TB

RMW200N03TB

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.574
  • 5000$0.5453
  • 12500$0.5248
  • 25000$0.5084
  • 62500$0.492
描述MOSF N CH 30V 20A PSOP8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1780pF @ 15V
功率 - 最大3W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装8-PSOP
包装带卷 (TR)其它名称RMW200N03TBTR

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