| 描述 | PNP X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I | 晶体管类型 | 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | - |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，5V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250μA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 | 供应商器件封装 | USV |
