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  • RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.427
  • 6000$0.40565
  • 15000$0.38888
  • 30000$0.3782
  • 75000$0.366
描述MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 7A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds7400pF @ 6V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD供应商设备封装TSMT8
包装带卷 (TR)

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