| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 45 毫欧 @ 4A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.5nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | TSMT3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
