| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3 | 系列 | - |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 350 毫欧 @ 1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.9nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 120pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | TUMT3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | RSF010P03TLTR |
