描述 | MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6 | FET 类型 | N 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 70mOhm @ 3.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 6.5 nC @ 5 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 430 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 950mW(Ta) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSMT6(SC-95) |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |