| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4A TSST8 | 系列 | - |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 4A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2350pF @ 6V |
| 功率 - 最大 | 1.25W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSST | 供应商设备封装 | TSST8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
