您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > rtm002p02t2l
  • RTM002P02T2L

RTM002P02T2L

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 8000$0.1305
  • 16000$0.1215
  • 32000$0.11475
  • 56000$0.1125
描述MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3系列-
FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 200mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
功率 - 最大150mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-723供应商设备封装VMT3
包装带卷 (TR)其它名称RTM002P02T2LTR

rtm002p02t2l的相关型号: