| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3 | 系列 | - |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | - | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | TSMT3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | RTR011P02TLTR |
