| 描述 | MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V | 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装 | EMT3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | RUE002N02TLTR |
